Не опять, а снова
Intel объявили (в очередной раз) о переносе начала массового производства своих 10 нм процессоров с 2018 на 2019 год. Причина - высокий уровень брака, из-за которого производство продолжает оставаться невыгодным.
28.04.2018, 06:48
Сразу видно балбеса, который не в курсе, что в последнем айфоне, например, 10 нм. Самсунг и TSMC как-то справились.
Можно что угодно.
Просто пока что не технологично.
Одно дело создать один прототип, другое дело создать миллион копий этого прототипа.
Просто пока что не технологично.
Одно дело создать один прототип, другое дело создать миллион копий этого прототипа.
До квантовых эффектов тут еще как до луны пешком.
и снова "при используемых материалах и технологиях".
транзисторы в 1нм в 2016ом году уже создавались
https://infocity.az/2016/10/%D1%83%D1%87%D1%91%D0%BD%D1%8B%D0%BC-%D1%83%D0%B4%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D1%81%D1%8C-%D0%BE%D1%81%D0%B2%D0%BE%D0%B8%D1%82%D1%8C-1-%D0%BD%D0%BC-%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%86%D0%B5%D1%81%D1%81/
транзисторы в 1нм в 2016ом году уже создавались
https://infocity.az/2016/10/%D1%83%D1%87%D1%91%D0%BD%D1%8B%D0%BC-%D1%83%D0%B4%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D1%81%D1%8C-%D0%BE%D1%81%D0%B2%D0%BE%D0%B8%D1%82%D1%8C-1-%D0%BD%D0%BC-%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%86%D0%B5%D1%81%D1%81/
а вот 2017й год... уже техпроцесс на уровне 1нм
https://overclockers.ru/hardnews/show/84122/issledovateli-iz-ssha-predstavili-tehprocess-s-normami-1-nm
https://overclockers.ru/hardnews/show/84122/issledovateli-iz-ssha-predstavili-tehprocess-s-normami-1-nm
Размер электрона менее 10см в -20 степени
1 нанометр это 10см в -7 степени.
Какое одеяло может перетягивать тенисный мяч летящий в пропасть?!
1 нанометр это 10см в -7 степени.
Какое одеяло может перетягивать тенисный мяч летящий в пропасть?!
Но структура всеж атомарна :) Пока 6ть атомов рекорд вроде (золото и палладий).
Начнём с того, размер электрона вещь весьма условная
Не стоит забывать про пустоту в атомах и между ними(Гугл говорит, что атом золота это 1,66 в -8 см) а квантовые эффекты начинаются уже просто на атомарном уровне
Не стоит забывать про пустоту в атомах и между ними(Гугл говорит, что атом золота это 1,66 в -8 см) а квантовые эффекты начинаются уже просто на атомарном уровне
А ничего, что поток теннисных мячей, летящих в пропасть, вызывает землетрясения на планетах в соседних системах?
Электрон считают точечным зарядом. Точнее есть облако - орбиталь с вероятностью/плотностью нахождения там электрона.
Зачем приводить в пример против квантовых эффектов электрон, который сам состоит из одних квантовых эффектов?
Размер то у него может и шибко маленький да локализовать его в пространстве меньше атома вряд ли получится.
1 нм = 10 в -9 степени см. И да простить расположение см после 10 в отличии от ошибки всего в 100 раз я не в состоянии :)
Размер то у него может и шибко маленький да локализовать его в пространстве меньше атома вряд ли получится.
1 нм = 10 в -9 степени см. И да простить расположение см после 10 в отличии от ошибки всего в 100 раз я не в состоянии :)
и тут следует добавлять: "... при используемых сегодня материалах и технологий"
потому-что кремний всех устраивает из-за определенной дешевизны.
далее идут технологии. например Samsung и Qualcomm (на мощностях TSMC) переходят на 7нм. А 10нм у них пройденный этап.
Опять же многое зависит от того, как каждый производитель считает этот техпроцесс. Где-то это величина элемента, где-то проводника (да еще и не каждого)
потому-что кремний всех устраивает из-за определенной дешевизны.
далее идут технологии. например Samsung и Qualcomm (на мощностях TSMC) переходят на 7нм. А 10нм у них пройденный этап.
Опять же многое зависит от того, как каждый производитель считает этот техпроцесс. Где-то это величина элемента, где-то проводника (да еще и не каждого)
Источник: http://integral-russia.ru/2017/05/21/perehod-s-14-nm-na-10-nm-tehprotsess-izgotovleniya-mikroshem-obeshhaet-krupnejshij-tehnologicheskij-proryv/
В заявлениях производителей о нанометрах много маркетинга. Измерение плотности транзисторов по размеру одного транзистора — не совсем корректная метрика.
Intel подсчитала, что в её 14 нм помещается на 23% больше транзисторов, чем в 14 нм у «других компаний». Такая разница образуется из-за меньшей высоты логической ячейки, меньшего расстояния между затворами и меньшего шага ребра (см. таблицу).
Шаг затвора (gate pitch, расстояние между затворами соседних транзисторов, включая ширину самих затворов) у Intel кардинально меньше, чем у других производителей. На 22-нанометровом техпроцессе оно было примерно таким же, как у конкурентов сейчас на 14/16 нм.
По шагу межсоединения (interconnect pitch, минимальное расстояние между слоями внутрисхемных соединений) у Intel нет такого кардинального преимущества, но всё равно конкуренты ещё не приблизились к показателю, которого Intel достигла уже на 14 нм.
Таким образом, «другие фабрики» достигнут «интеловской» плотности транизисторов с опозданием на три года: для этого им нужно внедрить техпроцесс 10 нм, чтобы сравняться с 14 нм у Intel (от себя: это, во всяком случае, по мнению Intel так).
Интересно ещё и то, что нынешняя многократно усовершенствованная технология 14 нм++ третьего поколения у Intel будет лучше, чем первые образцы микросхем на 10 нм. Компания сама признаётся в этом. Ничего не поделаешь — новые технологии ещё нужно обкатать и проверить. То есть фактическое улучшение технологии 14 нм++ мы можем ждать где-то в районе 2020 года, и надеяться тут можно только на Intel, потому что конкуренты технологически отстают, несмотря на заявленные планы 10 и 7 нм (опять же, повторим, это со слов Intel, а каково на самом деле технологическое отставание конкурентов и существует ли оно — неизвестно).
Интересно ещё и то, что нынешняя многократно усовершенствованная технология 14 нм++ третьего поколения у Intel будет лучше, чем первые образцы микросхем на 10 нм. Компания сама признаётся в этом. Ничего не поделаешь — новые технологии ещё нужно обкатать и проверить. То есть фактическое улучшение технологии 14 нм++ мы можем ждать где-то в районе 2020 года, и надеяться тут можно только на Intel, потому что конкуренты технологически отстают, несмотря на заявленные планы 10 и 7 нм (опять же, повторим, это со слов Intel, а каково на самом деле технологическое отставание конкурентов и существует ли оно — неизвестно).
Издание AnandTech собрало информацию ото всех крупных игроков полупроводниковой промышленности, которые планируют вложиться в модернизацию производства и строительство новых фабрик. Это компании GlobalFoundries (США), Intel (США), Samsung (Южная Корея), Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC, Китай), Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC, Тайвань) и United Microelectronics (UMC, Тайвань). Их планы на ближайшие годы можно суммировать в следующей таблице.
В заявлениях производителей о нанометрах много маркетинга. Измерение плотности транзисторов по размеру одного транзистора — не совсем корректная метрика.
Intel подсчитала, что в её 14 нм помещается на 23% больше транзисторов, чем в 14 нм у «других компаний». Такая разница образуется из-за меньшей высоты логической ячейки, меньшего расстояния между затворами и меньшего шага ребра (см. таблицу).
Шаг затвора (gate pitch, расстояние между затворами соседних транзисторов, включая ширину самих затворов) у Intel кардинально меньше, чем у других производителей. На 22-нанометровом техпроцессе оно было примерно таким же, как у конкурентов сейчас на 14/16 нм.
По шагу межсоединения (interconnect pitch, минимальное расстояние между слоями внутрисхемных соединений) у Intel нет такого кардинального преимущества, но всё равно конкуренты ещё не приблизились к показателю, которого Intel достигла уже на 14 нм.
Таким образом, «другие фабрики» достигнут «интеловской» плотности транизисторов с опозданием на три года: для этого им нужно внедрить техпроцесс 10 нм, чтобы сравняться с 14 нм у Intel (от себя: это, во всяком случае, по мнению Intel так).
Интересно ещё и то, что нынешняя многократно усовершенствованная технология 14 нм++ третьего поколения у Intel будет лучше, чем первые образцы микросхем на 10 нм. Компания сама признаётся в этом. Ничего не поделаешь — новые технологии ещё нужно обкатать и проверить. То есть фактическое улучшение технологии 14 нм++ мы можем ждать где-то в районе 2020 года, и надеяться тут можно только на Intel, потому что конкуренты технологически отстают, несмотря на заявленные планы 10 и 7 нм (опять же, повторим, это со слов Intel, а каково на самом деле технологическое отставание конкурентов и существует ли оно — неизвестно).
Интересно ещё и то, что нынешняя многократно усовершенствованная технология 14 нм++ третьего поколения у Intel будет лучше, чем первые образцы микросхем на 10 нм. Компания сама признаётся в этом. Ничего не поделаешь — новые технологии ещё нужно обкатать и проверить. То есть фактическое улучшение технологии 14 нм++ мы можем ждать где-то в районе 2020 года, и надеяться тут можно только на Intel, потому что конкуренты технологически отстают, несмотря на заявленные планы 10 и 7 нм (опять же, повторим, это со слов Intel, а каково на самом деле технологическое отставание конкурентов и существует ли оно — неизвестно).
Издание AnandTech собрало информацию ото всех крупных игроков полупроводниковой промышленности, которые планируют вложиться в модернизацию производства и строительство новых фабрик. Это компании GlobalFoundries (США), Intel (США), Samsung (Южная Корея), Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC, Китай), Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC, Тайвань) и United Microelectronics (UMC, Тайвань). Их планы на ближайшие годы можно суммировать в следующей таблице.
ты как, демон, впихнул текст, картинку, текст, картинку, много текста и снова картинку??!!
Но такое преимущество ведь почти ничего не даёт. Только уменьшение площади кристалла с пропорциональным увеличением тепловыделения с единицы площади. Хотя сейчас когда термоинтерфейс процессоров специально не стараются сделать хорошим, чтоб не гнали сильно, этот факт не особо важен.
Максимально допустимым пределом в принципе было уже 180нм - это длина волны УФ-излучения, которое использовалось для фотолитографии (основной элемент тех.процесса создания кристалла). Но его обошли. И остальные тоже так или иначе обойдут. Единственное ограничение - рентабельность, что очень четко написано в посте.:)
Кадры решают все. У нас в компании выпускали шлак, пока не выгнали ссаными тряпками почти весь менеджерский состав, а за ними дармоедов-говноделов. Думаю, в интеле то же горе
Вообще про ИТ продукт...но к фабрикам тоже применимо
А потом, понятно, убедимся, что важно где и когда.
Увы скорость прогресса в производстве процессоров ощутимо замедлилась, единственный относительный плюс в том что сейчас можно купить новый компьютер и уже не бояться что за год он безнадежно морально устареет.
есть ещё один плюс - можно купить старое серверное железо недорого и оно будет по производительности ненамного хуже топовых современных процессоров. только кушать больше будет.
Незваный кеп ON. Для тех кто особо не интересовался как происходит "отбраковка" у интела, немного офигительных историй. При производстве новой линейке процессоров не создаются отдельно младшие семейства, штампуют i7, если готовое изделие не проходит проверки, его отбраковывают в i5, далее i3 > pentium G > celeron. При этом конечно же обрезают потоки/занижают частоты/отключают hyper-threading/кастрируют l3 кеш/отключают ядра в общем насилуют проц до тех пор пока он не пройдет тесты в рамках более младшего семейства.(Насчёт i9 толком ничего не скажу, там другие методы) Ну и естественно при повышенном спросе на более младшую модель, могут зарезать рабочие экземпляры, только на сей раз режется уже не программно. Как тут не вспомнить чудесные времена феномов, когда 2х ядерный процессор чудом становился 3х или 4 ядерным,а более старшая линейка 4х ядерников ещё и разлачивалась до х6.
Так что вполне резонно, что если на данном этапе брака и так на выходе прилично, раз стали так активно пиарить pentium G и кричать что л3 кеш нафиг не нужен, то на новые высоты забираться лучше не спешить.
Так что вполне резонно, что если на данном этапе брака и так на выходе прилично, раз стали так активно пиарить pentium G и кричать что л3 кеш нафиг не нужен, то на новые высоты забираться лучше не спешить.
Немного дополню по поводу 3х ядерных феномов: изначально планировали сделать партию 4х ядерных, но толи им партия бракованных материалов пришла и не заметили этого , толи при прожиге накосячили, но в итоге получилась партия процессоров, у которых 4е ядро работало некорректно, а т.к. выбрасывать целую партию на помойку очень дорого, то решили просто програмно вырубить 4е и в таком виде выпустили на рынок.
А толку? Раньше от новых техпроцессов росла производительность, прежде всего за счёт частоты и по чуть-чуть — за счёт архитектуры. Сейчас новые техпроцессы дают снижение себестоимости, уменьшение энергопотребления и увеличение кешей, а в плане частоты как на 32нм Sandy Bridge гнали до 4,8-5 ГГц, так 14++ Кофе Лейки до 4,8-5 ГГц и гонят. Хорошо хоть не снизили частотный потенциал (как у Бродвеллов, где разгон упирался в 4,2-4,3), и на том спасибо.
P.s. Год как сижу на Zen — те же яйца, вид в профиль.
P.s. Год как сижу на Zen — те же яйца, вид в профиль.
ну так возьми и реши тогда проблемы тепловыделения и нестабильности при ещё большем наращивании частот, вот недавно была новость, что рязань разогнали до 6 , но как обычно на жидком азоте, и подумай сколько людей захотят тратиться на yoba системы охлаждения, а сколько остануться на воздухе, просто с меньшей частатой прежде чем писать такие комменты.
Или ты считаешь, что все производители в мире сговорились прям специально не повышают частоту у процессоров?
Или ты считаешь, что все производители в мире сговорились прям специально не повышают частоту у процессоров?
Я считаю, что все производители в мире прям специально делают акцент на ноутбучные камни и "низкочастотные" техпроцессы, которые лично мне нафиг не сдались. Проблемы нестабильности и тепловыделения как раз из-за того, что эти самые техпроцессы (в т.ч. первая версия Intel 14 и актуальная GloFo 14 LPP) начиная с некоторых частот становятся хуже и жрут больше старых 32нм.
Что касается "yoba системы охлаждения", меня Феном со "125-Вт в покое" не сильно напрягал, хватало дешёвого башенного кулера IceHammer IH-4400 с теплотрубками и вентилятором 120х120. Сам решай, ёба ли тратить 35 баксов на СО или нет.
Что касается "yoba системы охлаждения", меня Феном со "125-Вт в покое" не сильно напрягал, хватало дешёвого башенного кулера IceHammer IH-4400 с теплотрубками и вентилятором 120х120. Сам решай, ёба ли тратить 35 баксов на СО или нет.
Это не сговор интел с амд, а физика токов высокой частоты. Чем выше частота тем больше потери на электромагнитное излучение, электромагнитную индукцию, всё это переходит в тепло. Ещё квантовые эффекты подключаются, один транзистор не может выделять при срабатывании меньше тепла чем определённый минимум, каким бы маленьким он не был(хотя не в курсе достигли ли уже этого эффекта вплотную)
